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英锐恩供应单片机-方案专用-EN8F158

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详细说明

    1 特性

精简指令集架构

8 层硬件堆栈 x12bit

2T 或 4T 指令周期

4Kx14b 程序存储空间

程序存储空间的 checksum 自动校验

可配置,User Option 256x8b 数据 EEPROM

数据 EEPROM 在应用编程

可配置,Factory Option 高耐用性 EEPROM

程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作

EEPROM 保存时间>40 年

256x8b SRAM

1 x 带 8 位预分频的定时器 0

1 x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1

1 x 带 8 位预分频的

定时器 2.

慢时钟周期测量模式

增强性捕捉、比较和可编程―死区‖时间的 PWM 模块

时钟源可选:系统时钟或者是内部 32MHz 时钟

单次脉冲模式

最多 3 对带―死区‖的 PWM 输出

4x12bit Timer,4x12bit PWM,支持 BUZZER 模式

支持每组 PWM 的互补脉冲输出

时钟最快 32M

外设时钟输出

1x9bit 可编程脉冲发生器(PPG)

两个重载寄存器

脉冲极性可选择

支持脉宽限制

支持不可重复触发模式

手动触发方式和比较器结果触发方式

带 7 位预分频的 WDT,溢出频率范围为 16ms~256s

上电延迟计数器 PWRT

低功耗模式 SLEEP

多个唤醒源,外部中断 INT、端口变化中断、WDT 和数据 EEPROM 写完成,等等

可配置硬件去抖的外部中断 INT

内置高速 16M RC 振荡器

内置低速 32K RC 振荡器

支持外部晶振 16M 或 32K,以及外部时钟模 式

时钟缺失检测

双速启动模式

内置 10 位的 ADC,支持 8 个通道(7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道)

参考电压可选:外部 Vref,VDD,内部2V/3V

可配置,Factory Option

内置 6 个高速高精度比较器

可编程的参考电压

比较结果可直接输出

比较结果可配置去抖

输入失调电压可校准

迟滞控制(比较器 0/1/2/3)

1x 运算放大器,支持软件校准输入失调电压

低电压复位 LVR:2.0V/2.2V/2.8V

低电压检测 LVD:2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V

3 对 USB 充电端口:

专用充电端口 DC+/DC-

充电下行端口 DA+/DA-,DB+/DB-

支持 QC2.0 和 QC3.0 以及苹果、三星设备

最多同时对两个设备充电

集成 D2I 模块

最多 18 个通用 IO,20 个芯片管脚

所有 IO 带独立上拉控制

4 个 IO 带独立下拉控制

下降沿中断,RA0~RA7

 
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